據媒體報道，半導體行業(yè)的三大巨頭SK海力士、臺積電和NVIDIA即將展開深度合作，共同開發(fā)下一代高頻寬內存技術(HBM)。

　　這一合作計劃預計將在9月的中國臺灣國際半導體展(Semicon Taiwan)上正式宣布，屆時SK海力士社長金柱善將發(fā)表專題演講。

　　三方的合作將聚焦于HBM技術的研發(fā)，以期掌握AI服務器關鍵零組件的制高點，HBM作為一種高性能的3D堆疊內存技術，對于AI和高性能計算處理器的內存性能至關重要。

　　合作的目標是在2026年實現(xiàn)HBM4的量產，采用臺積電的12FFC+及5納米工藝制造HBM4接口芯片，以實現(xiàn)更微小的互連間距。

　　SK海力士一直是NVIDIA AI GPU HBM內存的獨家供應商，預計在2026年NVIDIA推出的Rubin系列將正式采用HBM4技術。

　　這一合作將進一步鞏固三方在AI半導體產業(yè)中的領導地位，并擴大與等競爭對手的差距。

　　此外，臺積電也在加強其CoWoS-L和CoWoS-R等封裝技術產能，以支持HBM4的大規(guī)模量產。